分析型場發掃描式電子顯微鏡
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儀器介紹
分析型場發掃描式電子顯微鏡/Analyticalfieldemissionscanningelectronmicroscope
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本儀器由掃描式電子顯微鏡(FE-SEM)與聚焦式離子束顯微鏡(FIB)及能量分散式光譜分析儀(EDS)所組成。
能提供試件樣品在高/低加速電壓之掃描觀察可獲得超高解析影像之能力,加速電壓15kV解像力1nm、1kV、1.9nm。
裝設聚焦離子束,可進行切削及同步影像觀察。
同時加裝EDS電腦分析系統,以擷取高解析數位影像及成份定性、定量等分析。
影像及分析檔案資料均能系統化存檔,並透過網路安全傳輸至使用者。
一、儀器設備說明
本儀器為蔡司公司AURIGA場發射型掃描式電子顯微鏡,並裝設EDS分析系統及FIB切削功能。
於2011年1月裝機完成,2011年4月開始服務。
儀器規格:
熱場效燈絲(Schottkyemitter)AccelerationVoltage:from0.1KVto30KV.(Continuousmode)
二次電子像(SE)解析度Betterthan1.0nmat15kVinhighvacuumoperatingmode.Betterthan1.9nmat1kVinhighvacuumoperatingmode.
倍率範圍12Xto1,000,000X(SEMode)
五軸電腦馬達控制台X軸移動距離100mm.Y軸移動距離100mmZ軸移動距離50mm‧旋轉連續360°.T軸-10度至60度
EDS偵測範圍B到Am.Resolution:125
二、服務項目
「掃描式電子顯微鏡」(ScanningElectronMicroscope)影像觀察
SEI(ScanningElectronImage):各式材料之顯微影像及破斷面、金相表面觀察。
BEI(BackscatteredElectronImage):TOPO(Topography),凹凸表面觀察。
COMPO(Composition),元素鑑別及分析。
「能量分散光譜儀」(EnergyDispersiveSpectrometer)可作微區成分之定性、半定量分析、linescan及mapping。
「離子束顯微鏡」(FocusIonBeam)可進行定點縱剖面切削及同步影像觀察(Pt氣體注入器尚在採購中,FIB暫不開放)。
「電荷累積消除器」(ChargeCompensator)適合非導體試片觀察。
三、取樣應注意事項
試件取樣直徑最大不超過50mm(最好在10mm以內為宜),最大高度20mm,試件請自行前處理。
如為非金屬、粉體試件,請先做蒸鍍及固定處理。
試件需不含水分、磁性、揮發性物質。
本儀器拒絕受理含有毒性、腐蝕性、揮發性及低熔點等之試件。
四、收費辦法及標準
以科技部-基礎研究核心設施預約服務管理系統為主,請上線查閱:儀器計費查詢。
五、預約注意事項
首次欲使用本儀器,請於預約前先與技術人員接洽.
每月28日下午2:00開放下個月份使用時段(由科技部貴儀資訊管理系統預約)。
已完成預約之使用者,請於使用當日的二~三天前先行查詢儀器狀況.
已完成預約,若欲取消,請於使用日的三天前上網取消,否則使用費需計.
六、本儀器之指導教授與技術員
技術員: 劉彩芸小姐 (06)2757575轉31373 email:[email protected]
七、本儀器放置地點
成功大學 自強校區 儀器設備大樓2F0206室
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