什麼是DDR4 記憶體？更高效能 - Kingston Technology

規格一覽. 說明, DDR3, DDR4, 優點. 晶片密度, 512Mb-8Gb, 4Gb-16Gb, 較大 ... 九月2014 伺服器/資料中心 Memory PC效能 DDR4 博客首頁 已複製 DDR4記憶體標準 DDR4概覽 隨著DDR3已無法滿足全球目前對效能與頻寬的需求，新一代的DDRSDRAM已經隆重登場...DDR4可提升效能、增加DIMM儲存容量、改良資料完整性，以及降低耗電量。

DDR4能達到每針腳2Gbps以上的速率，且耗電量低於DDR3L(省電型DDR3)；DDR4能降低整體運算環境的電壓，讓效能及頻寬能力增加多達50%。

因此不僅比先前的記憶體技術還要出色許多，而且能節省電力多達約40%。

除了效能達到最佳化、運算成本低且更環保，DDR4也增強了信號完整性，並支援所有的RAS功能；同時也藉由提供循環冗餘核對(CRC)功能改善資料傳輸的可靠性、其晶片上的同位偵測功能，更提升了系統運行中「命令與位址」傳輸作業的完整性。

技術一覽 DDR4細節請注意，DDR3和DDR4模組有一些微妙的差異。

鍵位槽口差異DDR4模組上的鍵位槽口和DDR3模組上的鍵位槽口，兩者位處不同的位置。

雖然這兩個槽口都位於插入端上，但DDR4上的槽口位置有點不同，這是為了避免將模組安裝至不相容的主機板或平台中。

厚度更厚DDR4模組比DDR3稍微厚一點，藉此容納更多的訊號層。

弧形邊緣DDR4模組的弧形邊緣能協助插入模組，並減少印刷電路板在安裝記憶體時所承受的壓力。

實體特色 DDR4模組乍看之下別無二致，但是仍存在一些細微的差異。

DDR4RAM無法向下相容於DDR3主機板，而反之亦然。

因此為了避免意外插入錯誤類型的記憶體，凹口的位置已經做了調整。

每個模組擁有288個針腳，而非以往的240個針腳。

而為增加強度與電觸點，PCB的底部會略呈彎曲。

更快的速度 在技術差異方面，DDR4擁有更快的速度(最低從2133MHz起)，而此速度對DDR3而言已相當高端。

能夠有計畫地達到超過3200MHz的速度。

減少耗電量 DDR4的效率比DDR3更高，減少的消耗功率最高可達40%，每個模組僅需要1.2V。

這將為筆記型電腦帶來極大助益、讓電池壽命更加持久。

容量提升 DDR4可支援較高密度的晶片與堆疊技術，單一記憶體模組可擁有最高512GB的儲存容量。

可靠性更高 DDR4擁有經改良的循環冗餘檢查、晶片上內建「命令和位址」傳輸的同位偵測、並具備增強的訊號整合性，是目前最為可靠的DDR。

規格一覽 說明DDR3DDR4優點 晶片密度 512Mb-8Gb 4Gb-16Gb 較大的DIMM儲存容量 資料速率 800Mb/s–2133Mb/s 1600Mb/s–3200Mb/s 移轉至較高速I/O 電壓 1,5V 1,2V 記憶體電力需求較低 低電壓標準 支援(DDR3L於1.35V) 預期於1.1V 記憶體耗電量降低 內部記憶庫 8 16 更多記憶庫 記憶庫分組(BG) 0 4 脈衝存取速度更快 VREF輸入 2–DQ與CMD/ADDR 1–CMD/ADDR VREFDQ現在於內部產生 tCK–啟用DLL 300MHz–800MHz 667MHz–1,6GHz 更快的資料速率 tCK–停用DLL 10MHz–125MHz(選用) 未定義至125MHz 現在完整支援DLL-off模式 讀取延遲 AL+CL AL+CL 擴大值 寫入延遲 AL+CWL AL+CWL 擴大值 DQ驅動程式(ALT) 40Ω 48Ω 能為PtP應用程式提供最佳效果 DQ匯流排 SSTL15 POD12 I/O噪音與耗電量較低 RTT值(Ω) 120,60,40,30,20 240,120,80,60,48,40,34 支援更快的資料速率 不允許RTT 讀取脈衝 會在進行讀取脈衝時停用 使用簡單 ODT模式 標稱，動態 標稱，動態，駐留 Add’l控制模式；OTF值變更 ODT控制 需要進行ODT訊號發送 不需要進行ODT訊號發送 輕易進行ODT控制；允許非ODT路由、PtP應用程式 多用途暫存器 四個暫存器–1個經過定義，3個RFU 四個暫存器–3個經過定義，1個RFU 提供額外的專業讀出 DIMM類型 RDIMM,LRDIMM,UDIMM,SODIMM RDIMM,LRDIMM,UDIMM,SODIMM DIMM針腳 240(R,LR,U);204(SODIMM) 288(R,LR,U);260(SODIMM) RAS ECC CRC、同位、可定址性、GDM 更多RAS功能；更高的資料完整性