關於記憶體顆粒的小秘密:不同顆粒差異較大 - - CodingNote.cc

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首先生產記憶體顆粒的廠商就有很多家,這個應該很多DIY玩家都知道了。

這裡簡單羅列一下,目前消費市場90%的記憶體顆粒都是由鎂光、海力士、三星這三大家 ... 關於記憶體顆粒的小秘密:不同顆粒差異較大 2020年3月6日 資訊 說起記憶體,對於普通人來說可能並沒有什麼好談的,它雖然是電腦中不可或缺的硬體,但只要容量夠大,對遊戲和日常使用體驗的影響感知不強。

但對於DIY玩家來說,刷新記憶體頻率的新高同時收窄時序是他們一直追求的事情。

雖然3600MHz可能就比2400MHz的記憶體玩遊戲高那麼幾幀,但是這數字看著就很舒服。

決定記憶體超頻主要的因素有三個,其一搭配CPU的IMC(記憶體控制器),這個主要跟IMC設計有關,而且它也和CPU體質一樣,同型號每一顆處理器的IMC都會有體質上的差異; 其次就是主板和主板BIOS,這就看主板廠商的調教了; 最後就是取決於記憶體的顆粒,今天曉邊就來帶大家認識一下主流的記憶體顆粒,也方便大家買到便宜好用還能超頻的記憶體。

記憶體顆粒之間有何區別? 為什麼記憶體顆粒之間會有體質區別?首先生產記憶體顆粒的廠商就有很多家,這個應該很多DIY玩家都知道了。

這裡簡單羅列一下,目前消費市場90%的記憶體顆粒都是由鎂光、海力士、三星這三大家來自美韓的巨頭生產。

除此以外還有南亞、華邦和力晶等台灣廠商也會生產,不過後面這幾家廠商現在主要生產伺服器記憶體的顆粒,消費市場就相對少一點。

記憶體顆粒就是DRAM晶片,每家廠商技術研發實力不同,晶片設計不同,採用的製造製程也不同,生產出來的晶片品質自然也會有差別。

即使是同一家廠商生產的記憶體顆粒,也是會迭代發展的,比如海力士第一代DDR4記憶體顆粒主要有H5AN8G8NMFR和H5AN4G8NMFR等以MFR結尾的顆粒,民間稱之為MFR顆粒。

這些顆粒能穩定運行在2666MHz或者2400MHz的頻率下,但是超頻潛力幾乎沒有,狂加電壓也無法成功。

隨後海力士就推出了以AFR結尾的顆粒,這代顆粒明顯改善了超頻性能,加壓即可超頻,頻率顯著提升,現在又迭代發展到第三代的CJR顆粒。

目前主流的記憶體顆粒有哪些? 那麼目前主流的記憶體顆粒有哪些呢?我們就分廠商來說吧。

海力士 舉例時用了海力士,我們就先談海力士的顆粒。

剛剛也說了海力士第一代主推的DDR4記憶體顆粒為MFR顆粒(也稱海力士M-die),25nm製程,MFR顆粒穩定耐用,但是超頻能力幾乎沒有,現在還多見於低頻的DDR4記憶體中。

但是對比友商三星在顆粒上極好的超頻體質,海力士處於了下風。

為了改善這一情況,2015年年末開始,海力士就推出了H5AN8G6NAFR(8Gb)、H5AN8G8NAFR(8Gb)、H5AN4G8NAFR(4Gb)和H5AN4G6NAFR(4Gb)三種顆粒,宣告了AFR顆粒(也稱為海力士A-die)的到來。

通常使用21nm製程的AFR顆粒相比MFR有更好的超頻能力,只要加電壓頻率上3200MHz並不難,但是體質並不算好,高頻下時序也很一般。

海力士CJR顆粒是SK海力士HynixC-die顆粒,是繼MFR、AFR之後的第三代8Gbit顆粒。

採用1X nm(通常為18nm)製程,由於型號“H5AN8G4NCJR”等後綴為CJR的顆粒,所以也稱CJR顆粒。

CJR顆粒體質好,更重要的是對近年來大火的Ryzen平台兼容性非常好,上3600MHz輕輕鬆鬆,因此成了DIY玩家,特別是AMD平台玩家的寵兒。

除此以外海力士還推出了更新一代的JJR(J-die)顆粒,但這個顆粒是為了取代此前的MFR和AFR顆粒,超頻體質稍微不如CJR顆粒。

簡單總結一下,目前市場主流的海力士顆粒中,以體質排序CJR>JJR>AFR>MFR,當然不排除有個別體質好的特例能以下犯上。

三星 三星記憶體顆粒早在DDR3時代就非常能超,在DIY圈建立了口碑,DDR4時代亦是如此,這裡就不得不提到三星B-die這個顆粒了。

三星B-die是DDR4時代的超頻傳奇,大部分為20nm製程,無數記憶體超頻記錄都是由他完成,是DIY玩家心中的極品顆粒。

三星B-die對AMD和Intel兼容性都很好,在Intel平台達到4000MHz以上頻率更是基本操作,時序還很低,深受玩家喜愛。

不過我們常說的B-die顆粒,其實是特指K4A8G045WB、K4A8G085WB等5WB後綴系列中的BCBP顆粒。

這些顆粒是被特挑出來專門做旗艦記憶體的,所以更準確地說體質好的應該叫特挑B-die。

剩下的普通B-die體質雖然也很不錯,但是不具備有挑戰超頻記錄的實力,還有一種邊角料的B-die,這些就是體質最差的B-die了。

不過遺憾的是三星上年宣布停產B-die顆粒,一代傳奇就此落幕。

現在市面上已經越來越難買到三星B-die顆粒的記憶體了,有也是之前記憶體廠商屯起來用於製造旗艦產品,價格昂貴。

接替B-die顆粒的是三星A-die和M-die,新的顆粒提升了密度,單顆容量更大,讓成本降低,方便製造單條32GB或更大的記憶體。

而根據三星所說A-die超能能力與B-die一致甚至更好,容量更大,M-die則次一點。

但是這麼好的顆粒三星主要用於專業市場和伺服器市場,消費市場還沒排到,可能等產能上去了我們普通消費者才能接觸到了。

除此以外目前市場上的三星顆粒還有C-die和E-die,這些體質就相對一般了。

總結來說,就討論目前大家能買到的三星記憶體顆粒體質,特挑B-die>普通B-die>邊角料B-die>C-die≈E-die,而A-die和M-die因為市面沒買到也沒實測,就不說了。

鎂光 此前鎂光顆粒在DIY圈子中存在感還是比較低的,一般穩定耐用,但是超頻性能沒有三星那麼奪目。

鎂光B-die是比較早期的DDR4顆粒,也是鎂光出貨量很大的顆粒,這類顆粒穩定耐用,但是別想著能怎麼超頻了,買到了默認用就好。

除此以外鎂光還有一家子公司Spectek專門處理鎂光檢測中不合格的降級顆粒,這些降級記憶體顆粒會打上Spectek的大S標誌,被稱為大S顆粒。

大S顆粒都是鎂光的降級片,但也有好有壞。

舉個例子,鎂光生產3200MHz頻率的記憶體顆粒,把達不到要求的給Spectek降級成2400MHz標準處理售賣,那你不能說這些顆粒達不到3200MHz要求就是垃圾顆粒; 但也有些大S顆粒是低端記憶體篩選標準篩選下來的,良率特低,這些就是垃圾顆粒了。

因此大S顆粒魚龍混雜,也是很多山寨記憶體條喜歡用的記憶體顆粒,不是專業能熟讀顆粒型號的DIY玩家還是避開比較好。

當然,隨著時間推移,鎂光也和海力士一樣奮發圖強,推出了一批容易上高頻關鍵價格還不貴的顆粒,它就是最近大火,以5726MHz的成績打破DDR4記憶體超頻記錄的鎂光E-die。

鎂光E-die是鎂光17年末生產的顆粒,只是在三星B-die停產之前沒什麼人玩,直到19年才被神通廣大的DIY玩家發掘出來。

在超頻玩家的手中鎂光E-die超頻到4000MHz難度不大,但電壓要加得比較高,而且時序比較難收窄。

雖然有一些瑕疵,但鎂光E-die最近還是被熱捧,因為目前鎂光E-die主要用於英睿達的原廠記憶體上,價格最低的只要200多一條,非常實惠,堪稱平民法拉利。

鎂光E-die的顆粒不同型號也會有體質上的差異,目前民間實踐過最好的是C9BJZ,其次是D9VPP,其他則與普通B-die沒有明顯差距。

如果給鎂光的顆粒體質排一個順序,大概就是E-die C9BJZ>E-dieD9VPP>其他E-die>B-die>大S。

看完各家小結,大家應該都能看懂哪些顆粒比較好了,但是要是三家匯總起來應該怎麼排序呢? 不慌,這裡曉邊就簡單總結了一個簡易的記憶體顆粒天梯表給大家參考,有需要的小夥伴也可以保存下來。

那麼記憶體顆粒怎麼看呢? 一般情況下記憶體顆粒表面就有它的編號了,但是現在的記憶體基本都有馬甲,對於一般消費者來說拆開馬甲看顆粒並不現實。

此時一個比較方便的方法就通過軟體ThaiphoonBurner,這個軟體能讀取記憶體的各種資訊,下面教一下大家如何使用。

百度下載該軟體後,直接打開,點擊紅框框的Read就能進入資訊頁面。

我這條就是十銓生產的記憶體,使用的是Hynix海力士的顆粒,顆粒編號以CJR結尾,型號也寫明了是C-die,很明顯我這條記憶體使用的就是海力士的CJR顆粒了。

以此類推,這條記憶體就是鎂光的D9VPPE-die。

這條記憶體就是三星特挑BCPB的B-die。

不過颱風也不完全准,是基於它的大數據估測的,但也八九不離十,大家想看的話記得更新軟體到最新的版本會更為靠譜一些。

總結 其實除了少部分發燒級DIY玩家以外,記憶體顆粒的體質對大部分人還是沒什麼影響的,一般人買了記憶體回去,開了XMP默認用也能很舒服,本篇文章也是面向極小眾的DIY發燒級玩家。

而對於這部分發燒友,曉邊最後還給一個選購的建議。

三星的B-die已經停產,現在基本只存在與高價的旗艦記憶體中,不必過分強求,鎂光的C9BJZ是一個很好的替代品。

目前C9BJZ多用於鎂光自家的英睿達記憶體中,某東平台上自營的英睿達鉑勝3000MHz的馬甲條就大概率是使用C9BJZ顆粒。

目前這款記憶體也是賣到漲價斷貨了,喜歡折騰的玩家可以關注。

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