消費級DDR4 UDIMM 容量上限有多大?Samsung 說單條DDR4 ...
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目前消費市場較流行的DDR4記憶體模組為單條8GB版本,採用較多廠商均有能力大量量產的1Gbx8顆粒,在價格與容量之間取得不錯的平衡點,也兼具一定的超頻性優勢。
Samsung近日利用自家M-die記憶體顆粒,推出單條32GB模組,照顧大容量需求族群。
由於動態記憶體利用電容儲存電荷的特性,經過一定時間需要對電容再次充電,避免電荷流失量達到無法判斷0或是1的狀態,導致無法正常運作。
也因為此運作原理讓記憶體製程微縮遇到瓶頸,近年來記憶體容量上升速度已漸趨緩,過小的儲存單元並無法儲存足夠的電荷,讀寫時也很容易受到鄰近儲存單元影響。
去年年底宣布正式量產第二代10奈米等級1ynmDDR4記憶體顆粒的Samsung,宣布推出DDR4單條UDIMM32GB模組,目前已達出樣階段供合作廠商測試。
由於是UDIMM無緩衝、無ECC、無Registered的記憶體模組,因此市場目標並非工作站或是伺服器,而是你我普通消費族群。
單條記憶體模組容量達32GB的M378A4G43MB1-CTD,表示一般電腦平台4條記憶體插槽即可達128GB容量,HEDT平台則是256GB,等於是現行容量上限的2倍。
這個記憶體模組採用16顆2Gbx8記憶體封裝,構成電路板雙面上料(單面8顆)2個Rank結構,而一般8GBDDR4記憶體模組僅為單面上料1Gbx8單一Rank設計。
▲Samsung推出DDR432GB記憶體模組,往上推升消費市場電腦的最高容量。
M378A4G43MB1-CTD記憶體模組等效時脈為2666MHz,記憶體顆粒採用M-die,TCL、TRCD、TRP、TRAS 最小值分別為13.75ns、13.75ns、13.75ns、32ns,時序因此是比較寬鬆的19-19-19-43,記憶體主要運作電壓則是標準1.2V。
另外深藏在SamsungDDR4產品指南資料表還有個M378A4G43AB1-CVF32GB模組,採用A-die速度提升至等效時脈2933MHz,預計於明年第一季上市。
▲除了M378A4G43MB1-CTD,明年預計還有1款同為32GB的M471A4G43AB1-CVF記憶體模組,速度提升至DDR4-2933。
18/09/0620:35修正文章不正確內容
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標籤:零組件,電腦王,記憶體,Samsung,新聞,ddr4,零組件/網通,m-die,32gb,m378a4g43mb1
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