Kingston® 記憶體產品型號解碼器

瞭解如何讀懂Kingston® 記憶體產品型號，包括Kingston FURY™、Server Premier™、ValueRAM®、HyperX®、DDR5、DDR4、DDR3、DDR2 和DDR 記憶體產品系列，幫助您依照規格 ... Kingston產品型號解碼器 瞭解如何讀懂Kingston®記憶體產品型號，包括KingstonFURY™、ServerPremier™、ValueRAM®、HyperX®、DDR5、DDR4、DDR3、DDR2和DDR記憶體產品系列，幫助您依照規格識別模組。

KingstonFURY™DDR5 下列資訊將協助您按規格識別KingstonFURY記憶體模組。

範例產品編號:KF556C38BBE2AK2-32 KF 5 56 C 38 B B E 2 A K2 - 16 KF=產品線 KF–KingstonFURY 5=技術 5–DDR5 56=速度(MT/s{{Footnote.A65242}}) 48–4800 52–5200 56–5600 60–6000 64–6400 C=DIMM類型 C–UDIMM(非ECC無緩衝) S–SODIMM(非ECC無緩衝) 38=CAS延遲 32–CL32 36–CL36 38–CL38 40–CL40 B=系列 B–Beast I–Impact R–Renegade B=散熱片 B–黑 S–银色 E=配置文件类型 空格-IntelXMP/隨插即用 E-AMDEXPO 2=修訂 空格-第1次修訂 2-第2次修訂 3-第3次修訂 A=RGB 空格-非RGB A–RGB K2=套件+套件數量 空白–單一模組 K2–2套件模組 K4-4套件模組 16=總容量 8–8GB 16–16GB 32–32GB 64–64GB 128–32GB DDR5ValueRAM 範例產品編號:KVR48U40BS8LK2-32X KVR 48 U 40B S 8 L K2 - 32 X KVR=KingstonValueRAM KVR–KingstonValueRAM 48=速度(MT/s{{Footnote.A65242}}) 48–4800 52–5200 56–5600 60–6000 U=DIMM類型 U–DIMM(非ECC無緩衝) S–SO-DIMM(非ECC無緩衝) 40B=CAS延遲 40–40-40-40 40B–40-39-39 42–42-42-42 46–46-46-46 S=Rank S–單Rank D–雙Rank 8=DRAM類型 8–x8DRAM晶片 6–x16DRAM晶片 L=配置 空白–標準 L–極低配置(VLP) K2=套件+片數 空白–單一模組 K2–2套件模組 K4–4套件模組 32=總容量 8–8GB 16–16GB 32–32GB 64–64GB 128–128GB 256–256GB X=自訂 空白–標準組合 BK–大包裝 KingstonFURY™產品型號解碼器 下列資訊旨在於協助您按規格識別KingstonFURYDDR4/DDR3記憶體模組。

範例產品編號:KF432C16BB1AK4/64 KF 4 32 C 16 B B 1 A K4 / 64 KF=產品線 KF-KingstonFURY 4=技術 3-DDR3 4-DDR4 32=速度(MT/s{{Footnote.A65242}}) 16-1600(1.5V) 16L-1600(1.35V) 18-1866(1.5V) 18L-1866(1.35V) 26-2666 29-2933 30-3000 32-3200 36-3600 37-3733 40-4000 42-4266 46-4600 48-4800 50-5000 51-5133 53-5333 C=DIMM類型 C-UDIMM(Non-ECCUnbuffered) S-SODIMM(Non-ECCUnbuffered) 16=CAS延遲 9-CL9 10-CL10 11-CL11 13-CL13 15-CL15 16-CL16 17-CL17 18-CL18 19-CL19 20-CL20 B=系列 B-Beast R-Renegade I-Impact B=散熱片 空格-藍 B-黑 R-紅 W-White 1=修訂 空格-第1次修訂 1-16GB模組及1Gx8(8Gbit)零組件 2-第2次修訂 3-第3次修訂 4-4thRevision A=RGB 空格-非RGB A-RGB K4=套件+#套件數量 空白-單一模組 K2-2套件模組 K4-4套件模組 K8-8套件模組 64=總容量 4-4GB 8-8GB 16-16GB 32-32GB 64-64GB 128-128GB 256-256GB HyperX®產品型號解碼器 下列資訊旨在於協助您按規格識別KingstonHyperX記憶體模組。

範例產品編號:HX429C15PB3AK4/32 HX 4 29 C 15 P B 3 A K4 / 32 HX=產品線 HX-HyperX(Legacy) 4=技術 3-DDR3 4-DDR4 29=速度(MT/s{{Footnote.A65242}}) 13-1333 16-1600 18-1866 21-2133 24-2400 26-2666 28-2800 29-2933 30-3000 32-3200 33-3333 34-3466 36-3600 37-3733 40-4000 41-4133 42-4266 46-4600 48-4800 50-5000 51-5133 53-5333 C=DIMM類型 C-UDIMM(Non-ECCUnbuffered) S-SODIMM(Non-ECCUnbuffered) 15=CAS延遲 9-CL9 10-CL10 11-CL11 12-CL12 13-CL13 14-CL14 15-CL15 16-CL16 17-CL17 18-CL18 19-CL19 20-CL20 P=系列 F-FURY B-Beast S-Savage P-Predator I-Impact B=散熱片 空格-藍 B-黑 R-紅 W-白 3=修訂 2-第2次修訂 3-第3次修訂 4-第4次修訂 A=RGB 空格-非RGB A-RGB K4=套件+套件數量 空格-單一模組 K2-2套件模組 K4-4套件模組 K8-8套件模組 32=總容量 4-4GB 8-8GB 16-16GB 32-32GB 64-64GB 128-128GB 256-256GB DDR4ServerPremier (PC4-2400,PC4-2666,PC4-2933,PC4-3200) 產品型號:KSM26RD4L/32HAI KSM 26 R D 4 L / 32 H A I KSM=KingstonServerPremier KSM:KingstonServerPremier 26=速度(MT/s{{Footnote.A65242}}) 24:2400 26:2666 29:2933 32:3200 R=記憶體類型 E：UnbufferedDIMM(ECC) R：RegisteredDIMM L：Load-ReducedDIMM(LRDIMM) SE：UnbufferedSO-DIMM(ECC) D=面 S：單面 D：雙面 Q：四面 4=DRAM類型 4:x4 8:x8 L=PCB設定檔 L:VeryLowProfileDIMM 32=容量 8GB 16GB 32GB 64GB 128GB 256GB H=DRAM製造商 H:SKHynix M:Micron A=DRAMDie改版 ADie BDie EDie I=註冊製造商 I:IDT M:Montage R:Rambus DDR4ValueRAM (PC4-2133,PC4-2400,PC4-2666,PC4-2933,PC4-3200) 產品型號：KVR21LR15D8LK2/4HBI KVR 21 L R 15 D 8 L K2 / 4 H B I KVR=KingstonValueRAM KVR：KingstonValueRAM 21=速度(MT/s{{Footnote.A65242}}) 21：2133 24：2400 26：2666 29：2933 32：3200 L=低電壓 空白：1.2V L：TBD R=記憶體類型 E：Unbuff¬eredDIMM(ECC)，含散熱感應器 L：Load-ReducedDIMM(LRDIMM) N：UnbufferedDIMM(non-ECC) R：RegisteredDIMM S：SO-DIMM、Unbuffered(非Ecc) 15=CAS延遲 15：CAS延遲 D=面 S：單面 D：雙面 Q：四面 O：八面 8=DRAM類型 4：x4DRAM晶片 8：x8DRAM晶片 6：x16DRAM晶片 L=設定檔 空白：任何高度 H：31.25mm L：18.75mm(VLP) K2=Kit+片數 空白：單一模組 K2：兩個模組的套件 K3：三個模組的套件 4=容量 4：容量 H=DRAMMFGR H：SKHynix K：Kingston M：Micron S：Samsung B=改版 B：改版 I=Intel認證 I：Intel認證 DDR3 (PC3-8500,PC3-10600,PC3-12800) 如何判讀ValueRAM產品型號 範例： 新產品型號：KVR16R11D4/8 舊產品型號：KVR1600D3D4R11S/8G 新產品型號適用於2012年5月1日之後發行的產品。

產品型號：KVR16LR11D8LK2/4HB KVR 16 L R 11 D 8 L K2 / 4 H B KVR=KingstonValueRAM KVR：KingstonValueRAM 16=速度(MT/s{{Footnote.A65242}}) 16：1600 13：1333 10：1066 L=低電壓 空白:1.5V L:1.35V U:1.25V R=記憶體類型 E：UnbufferedDIMM(ECC) N：UnbufferedDIMM(non-ECC) R：RegisteredDIMM L：L:Load-ReducedDIMM(LRDIMM) S：SO-DIMM 11=CAS延遲 11：CAS延遲 D=面 S：單面 D：雙面 Q：四面 8=DRAM類型 4：x4DRAM晶片 8：x8DRAM晶片 L=設定檔 L：18.75mm(VLP) H：30mm K2=Kit+片數 K2：兩個模組的套件 K3：三個模組的套件 K4：四個模組的套件 4=容量 4：4GB 8：8GB 12：12GB 16：16GB 24：24GB 32：32GB 48：48GB 64：64GB H=DRAMMFGR/認證 H：Hynix E：Elpida I：Intel認證 B=Die改版 B：Die改版 DDR3&DDR2 DDR3(PC3-8500,PC3-10600)&DDR2(PC2-3200,PC2-4200,PC2-5300,PC2-6400) 產品型號：KVR1066D3LD8R7SLK2/46HB KVR 1066 D3 L D 8 R 7 S L K2 / 4G H B KVR=KingstonValueRAM KVR：KingstonValueRAM 1066=速度(MT/s{{Footnote.A65242}}) 1066：速度 D3=技術 D2：DDR2 D3：DDR3 L=低電壓 空白：1.5V L：1.35V U：1.25V D=面 S：單面 D：雙面 Q：四面 8=DRAM類型 4：x4DRAM晶片 8：x8DRAM晶片 R=記憶體類型 P：暫存同位(僅適用於暫存式模組) E：UnbufferedDIMM(ECC) F：FBDIMM M：Mini-DIMM N：UnbufferedDIMM(non-ECC) R：RegisteredDIMM S：SO-DIMM U：Micro-DIMM 7=CAS延遲 7：CAS延遲 S=散熱感應器 空白：不含散熱感應器 S：含散熱感應器 L=設定檔 空白：單一模組 L：18.75mm(VLP) H：30mm K2=Kit+片數 空白：單一模組 K2：兩個模組的套件 K3：三個模組的套件 4G=容量 4G：容量 H=DRAMMFGR H：DRAMMFGR B=改版 B：改版 DDR (PC2100,PC2700,PC3200) 產品型號:KVR400X72RC3AK2/1G KVR 400 X72 R C3 A K2 / 1G KVR=KingstonValueRAM KVR:KingstonValueRAM 400=速度(MT/s{{Footnote.A65242}}) 266 333 400 X72=X72ECC X72:X72ECC R=Registered R:Registered C3=CAS延遲 C3:CAS延遲 A=DDR4003-3-3 A:DDR4003-3-3 K2=Kit+片數 K2:兩個模組的套件 1G=容量 1G:容量 詞彙表 儲存容量 模組上的記憶體單元可用總數以GB表示。

關於套件，所列的容量是該套件中所有模組的合計容量。

CAS延遲 對記憶體模組和記憶體控制器讀取/寫入資料的標準預設時脈數CAS延遲表示載入資料讀取/寫入指令及行/列位址後，資料準備就緒之前的等待時間。

DDR4 第四代DDR(雙倍資料速率)同步動態隨機存取記憶體(SDRAM)記憶體技術，一般稱為「DDR4」。

DDR4記憶體模組由於電壓較低(1.2V)、針腳配置不同以及記憶體晶片技術不相容，因此無法向下相容前幾代的DDRSDRAM。

DDR5 第五代DDR(雙倍資料速率)同步動態隨機存取記憶體(SDRAM)記憶體技術，一般稱為「DDR5」。

DDR5記憶體模組由於電壓較低(1.1V)、針腳配置不同以及記憶體晶片技術不相容，因此無法向下相容前幾代的DDRSDRAM。

DIMM類型 UDIMM(非ECC無緩衝雙列直插式記憶體模組)是一個長尺寸的記憶體模組，為64-bit寬度，一般用於無需偵錯且DIMM容量受限制的桌上型主機系統中。

SODIMM(小型雙列直插式記憶體模組)是一種尺寸較小的記憶體模組，適用於較小型的電腦系統，如筆記型電腦、微型伺服器、印表機或路由器。

Gigabit(Gb) 位元是運算的最小資料單位，以1或0(開/關)表示。

根據國際單位制(SI)的定義，一個Gigabit(Gb)是十億位元(或109)。

在電腦記憶體方面，Gb(或Gbit)一般是用於表示單一DRAM零組件的密度。

Gigabyte(GB) 一個位元組由8個位元組成。

根據國際單位制(SI)的定義，一個Gigabyte(GB)是十億位元組(或109)。

在電腦記憶體方面，GB是用於表示記憶體模組的資料總容量，或是合併後相當於系統總計記憶體的記憶體模組群組。

套件 具備多個記憶體模組的零件編號，通常支援雙通道、三通道或四通道記憶體架構。

例如，K2=總容量等於封裝中的2個DIMM。

速度(也稱為頻率) 記憶體模組支援的資料速率或有效時脈，以MHz(百萬赫)或MT/s(每秒可傳輸次數)為單位。

速度越高，每秒可傳輸的資料量就越多。

列(Rank) 「列」(Rank)是指記憶體模組上的可定址資料區塊。

在DDR2、DDR3和DDR4上，這些資料區塊的寬度為64位元(x64)，再加上ECC(x72)的8位元。

DDR5模組同樣是每列64位元，但是當採用ECC時，每列資料區塊的寬度為80位元(x80)。

模組建構形式包括單列(1R)、雙列(2R)、四列(4R)或八列(8R)。

列數通常可以增加，以提供更大的模組儲存容量。

記憶體通道 記憶體通道是記憶體模組和記憶體控制器(通常位於處理器內部)之間的資料傳輸路徑。

大部分的運算系統(個人電腦、筆記型電腦、伺服器)皆採用多通道記憶體架構，並會合併使用通道以提高記憶體效能。

「雙通道記憶體架構」代表成對安裝相同的模組，藉此讓記憶體控制器的有效頻寬加倍。

延遲時間 當您在主機板BIOS中設定記憶體時序以獲得最佳效能時，下方資訊將有助於說明各種可調整的設定。

請注意，這些設定會依據主機板品牌/型號或BIOS韌體版本而有所不同。

舉例 15 CL - 17 tRCD - 17 tRP/tRCP - 20 tRA/tRD/tRAS CAS延遲(CL)：啟動列與讀取列之間的延遲時間。

RAS至CAS延遲（RAStoCAS），又稱列控制器至行控制器傳輸延遲時間（tRCD）：啟動列 列預充電延遲時間（RowPrechargeDelay），又稱列位址控制器預充電延遲時間（RASPrechargeDelay）（tRP/tRCP）：停用列 列動態延遲時間（RowActiveDelay），又稱列位址控制器動態延遲時間（RASActiveDelay），或就緒時間（timetoready）（tRA/tRD/tRAS）：啟動列與停用列之間的時脈週期數。

免責聲明：所有Kingston產品都經過測試，符合公告的規格。

某些系統或主機板配置可能無法在Kingston記憶體額定速度和時序下運作。

Kingston不建議任何使用者嘗試以超過額定速度的速度使用電腦。

進行超頻或修改系統時序可能會導致電腦元件損壞。