理想因子計算

的電位較高，n 型區的電位較低，其間的電位差我們稱為內建電位(build-in potential) Vbi。對電洞而言，他的電位能在p 型中性區最低，故電洞大部分分布.

內建電位. 正向偏壓. 2016/11/10. 正向偏壓 沒有迴響. 正向偏壓(Forward Bias) 國立臺灣大學物理學系簡裕峰. 於半導體中，將外加電場施於特殊的兩極上，以達到控制電路 ...

該電位差稱為內建電位（built-in potential） V b i {\displaystyle V_{\rm {bi}}}. V_{{{\rm {bi}}}} 。 pn結的n區的電子向p...

Example 1.5 求內建電位障。 考慮在T=300° K 下之矽pn 接面，p 區摻雜至Na=1016 cm-3 而n 區摻雜至Nd=1017 cm-3 解：隨例題1-1 可發現在室溫下，...

因為n型側電位高於p型側而形成內建電位障壁(Built-in potential barrier)，可以阻止任何流往另一邊的多數載子。在攝氏25度時，鍺(Ge)二極體的位能障壁約為0.3V，矽(...