Pn 接面 能帶 圖

因為n型側電位高於p型側而形成內建電位障壁(Built-in potential barrier)，可以阻止任何流往另一邊的多數載子。在攝氏25度時，鍺(Ge)二極體的位能障壁約為0.3V，矽(...

該電位差稱為內建電位（built-in potential） V b i {\displaystyle V_{\rm {bi}}}. V_{{{\rm {bi}}}} 。 pn結的n區的電子向p...

由於內建電場所引起會由N→P 產生漂移電流 3.n型區的電位較高，p型區的電位較低，其間的電位差我們稱為內建電位 我想請問自由電子不是往高電位移動嗎?

無其他物質在晶格內之單一晶格半導體材料(不掺雜，純矽Si) ... 剩下之原子帶正電荷，但在晶格內不可移動，所以對電流無貢獻 ... 內建電位障(Vbi).

的電位較高，n 型區的電位較低，其間的電位差我們稱為內建電位(build-in potential) Vbi。對電洞而言，他的電位能在p 型中性區最低，故電洞大部分分布.