內建電壓

Example 1.5 求內建電位障。 考慮在T=300° K 下之矽pn 接面，p 區摻雜至Na=1016 cm-3 而n 區摻雜至Nd=1017 cm-3 解：隨例題1-1 可發現在室溫下，...

因為n型側電位高於p型側而形成內建電位障壁(Built-in potential barrier)，可以阻止任何流往另一邊的多數載子。在攝氏25度時，鍺(Ge)二極體的位能障壁約為0.3V，矽(...

由於內建電場所引起會由N→P 產生漂移電流 3.n型區的電位較高，p型區的電位較低，其間的電位差我們稱為內建電位 我想請問自由電子不是往高電位移動嗎?

的電位較高，n 型區的電位較低，其間的電位差我們稱為內建電位(build-in potential) Vbi。對電洞而言，他的電位能在p 型中性區最低，故電洞大部分分布.

一邊者稱為單邊接面. 一邊者稱為單邊接面。 Page 31. 31. (1/C)2 對VR的關係曲線可求得. 內建電位障Vbi . 該曲線的斜率反比於低参雜區的. 雜質濃度(Nd ). Page...