內建電壓

區內原本亦是屬電中性，現因喪失電洞而留下3A 的陰離子，使得電位因而降低。 因此，在接面處將形成內建電場，由N 型區朝向P 型區，如圖(2-b)。在接面處.

無其他物質在晶格內之單一晶格半導體材料(不掺雜，純矽Si) ... 剩下之原子帶正電荷，但在晶格內不可移動，所以對電流無貢獻 ... 內建電位障(Vbi).

由於內建電場所引起會由N→P 產生漂移電流 3.n型區的電位較高，p型區的電位較低，其間的電位差我們稱為內建電位 我想請問自由電子不是往高電位移動嗎?

的電位較高，n 型區的電位較低，其間的電位差我們稱為內建電位(build-in potential) Vbi。對電洞而言，他的電位能在p 型中性區最低，故電洞大部分分布.

Example 1.5 求內建電位障。 考慮在T=300° K 下之矽pn 接面，p 區摻雜至Na=1016 cm-3 而n 區摻雜至Nd=1017 cm-3 解：隨例題1-1 可發現在室溫下，...